Базовые материалы
Фоторезисты
Защитные паяльные маски
Пленки для фотошаблонов
Материалы для монтажа
ООО "Дельта"
Россия, г.Санк-Петербург,
ул. Зеленогорская, д.4
Тел.: +7 (812) 321-68-14
Тел.: +7 (812) 294-06-31
Email: info@deltapcb.ru
Жидкий фотопроявляемый резист FER-850B

Жидкий фотопроявляемый резист для процессов травления и гальваники FER-850B

Общее описание продукции

  • Превосходная кроющая способность.  Подходит для различных методов нанесения.
  • Хорошая адгезия.
  • Однородность покрытия без пузырей и микротрещин.
  • Высокая устойчивость к травящим растворам, гарантирует чёткость кромки проводников.
  • Высокая разрешающая способность, позволяет получать: зазор/проводник    размером 2 mil / 2mil. (1mil = 0,0254 мм.)
  • Высокая механическая прочность покрытия.
  • Широкое технологическое окно.
  • Высокая фотографическая чувствительность.
  • Лёгкое удаление фоторезиста  без осадка.
  • Нетоксичен.

Метод нанесения: маркировка
Сеткографический: PR
Роликом: RL
Окунанием: CT
Аэрозоль: SP

Описание основных этапов обработки

  1. Подготовка композиции.
    Композиция должна быть тщательно перемешана, рекомендуемое время перемешивания 5-10 мин., желательно выдержать перед применением готовую композицию в течение 20-30 мин.
  2. Подготовка поверхности.
    При нанесении фоторезиста важную роль играет предварительная подготовка поверхности заготовки. Рекомендуется механическая зачистка, либо применение микротравителей.
  3. Сеткографическая печать.
    Используйте полиэфирные, нейлоновые либо металлические сетки размером 90-120 нитейсм.
    Для нанесения рекомендуется использовать резиновый, либо полиуретановый ракель с твердостью по Шору: 65-75
    Угол наклона ракеля при печати должен составлять: 70-80°
    Толщина покрытия: толщина покрытия, после сушки 8-16 мкм.
  4. Предварительная сушка.
    Стандартные условия сушки в сушильном шкафу приведены ниже, однако режимы сушки могут отличаться от приведенных, это зависит от применяемого сушильного оборудования, кол-ва заготовок печатных плат, используемых в процессе, их размещения в сушильной камере.  Поэтому мы рекомендуем произвести технологические испытания на Вашем оборудовании, прежде чем приступать к серийному запуску партии печатных плат. Рекомендуется выдерживать расстояние между заготовками в сушильном шкафу не менее 40-50мм.
    Первая сторона: 80 °С х 10 мин.
    Вторая сторона: 80 °С х 15 мин
    При одновременном нанесении фоторезиста с двух сторон: 80 °С х 15 мин
  5. Экспонирование.
    Рекомендуемая энергия экспонирования: 100-200 мДжсм2 ,
    Спектр УФ - излучения: 300-500 нм (6-8 ступень клина Штуффера)
  6. Проявление.
    для проявления нанесенной композиции используйте 1-1,2% раствор карбоната калия или натрия
    давление распыления: 1,5-2,5 кгсм
    температура: 30-32°С
    время: 45-90 сек.
  7. Окончательная сушка
    сушильный шкаф: темература 125 Co, время 10-15 мин.
  8. Удаление фоторезиста
    Фоторезист полностью удаляется 3-5% раствором NaOH, t = 40-50 Co

Рекомендации по процессу

  1. Рекомендуется работать с материалом в чистом помещении при температуре окружающей среды 20-25°С, относительная влажность воздуха 50-60%, при желтом источнике освещения, избегая флуоресцентного и солнечного света.
  2. Для очистки сетки используйте очиститель № 950 (растворитель сложного эфира) или целлозольва или смешанный растворитель типа сложного эфира и целлозольва.
  3. Материал поставляется готовым к применению, однако для регулировки вязкости можно использовать разбавитель Т-8, но не более 3%.
  4. Оптимальная толщина покрытия на платах после окончательной сушки составляет 8-16 мкм. Толщина покрытия менее, указанной величины может привести к изменению физических и химических характеристик, а более толстое покрытие может привести к искажению элементов рисунка.
  5. Обработка поверхности заготовки перед нанесением фоторезиста имеет ключевое значение для достижения надлежащего результата. Поэтому поверхность заготовки должна быть чистой и не иметь окисления и жирных пятен. В зависимости от степени и характера загрязнения поверхности заготовки, выберите микро травление, механическую очистку щеткой или оба процесса, чтобы обеспечить удаление любых неоднородностей. Затем промойте достаточным количеством воды и удалите остатки влаги. Избегайте соприкосновения рук с рабочей поверхностью заготовки и не допускайте контакта с маслом, смазкой или любой грязной поверхностью.
  6. Для подбора времени экспонирования и проведения тестов на разрешение фоторезиста необходимо произвести проверку оборудования: проверить мощность ламп, УФ составляющую в спектре излучения, а также проконтролировать полученную толщину покрытия фоторезиста на заготовке.
  7. Тщательно контролируйте качество проявляющего раствора в отношении его плотности, температуры, давления распыления и времени проявления. Недостаточный контроль может привести к ухудшению проявляющей способности или искажению рисунка.
  8. При попадании в глаза или на кожу, промыть значительным количеством воды. Не смывайте с помощью какого-либо растворителя.
  9. Работайте с  данным материалом в местах, защищенных от пожара или   воспламенения
  10. Храните материал в холодном месте при температуре 10-25°С.