Базовые материалы
Фоторезисты
Защитные паяльные маски
Пленки для фотошаблонов
Материалы для монтажа
ООО "Дельта"
Россия, г.Санк-Петербург,
ул. Зеленогорская, д.4
Тел.: +7 (812) 321-68-14
Тел.: +7 (812) 294-06-31
Email: info@deltapcb.ru
Резист сеткотрафаретного нанесения УФ-отверждения USR-690B

Резист сеткотрафаретного нанесения для процессов травления и гальваники УФ-отверждения USR-690B

Общее описание продукции

  • Высокая точность печати.
  • Хорошая адгезия.
  • Однородность покрытия без пузырей и микротрещин.
  • Высокая устойчивость к травящим растворам, гарантирует чёткость кромки проводников.
  • Высокая разрешающая способность, позволяет получать зазор/проводник      в размере 5 mil/5 mil. (1 mil = 0,0254 мм.).
  • Превосходная твердость покрытия.
  • Гарантированное экспонирование в УЛЬТРАФИОЛЕТОВОМ  диапазоне(1000-1600 mj/cm2.).
  • Лёгкое удаление резиста  без осадка.
  • Нетоксичен.

Тип: USR - 690B
Цвет: Синий
Вязкость: 200-300 Ps (при 25Сo.)
Устойчивость к царапанию (твёрдость): > 2 H
Гарантийный срок хранения при 25° С: 6 месяцев
Упаковка: 5 кг.
Главная особенность: устойчив к кислым и щелочным травильным растворам, а так же к гальваническим растворам типа: Cu, Pb/Sn, Ni/Au.

Описание основных этапов обработки:

  1. Подготовка композиции.
    Композиция должна быть тщательно перемешана, рекомендуемое время перемешивания 5-10 мин., желательно выдержать перед применением готовую композицию в течение 20-30 мин. для удаления пузырьков воздуха.
  2. Подготовка поверхности.
    При нанесении фоторезиста важную роль играет предварительная подготовка поверхности заготовки. Рекомендуется механическая зачистка либо применение микротравителей.
  3. Сеткографическая печать.
    Используйте полиэфирные, нейлоновые либо металлические сетки размером 90-120 нитейсм.
    Для нанесения рекомендуется использовать резиновый, либо полиуретановый ракель с твердостью по Шору: 60-75
    Угол наклона ракеля при печати должен составлять: 60-70°.
  4. Задубливание.
    Рекомендуемая энергия экспонирования: 700-2000 мДжсм2 , от УФ источника излучения.
  5. Удаление резиста.
    Резист полностью удаляется 3-5% раствором карбоната натрия, при температуре 40-50°С.